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芯片资料

精确

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• DESCRIPTION

• Combines the benefits of a fast switching SJ MOSFET with

excellent ease of use

• FEATURES

• Static drain-source on-resistance:

RDS(on) ≤0.099Ω

• Enhancement mode

• Fast Switching Speed

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

IPP60R099C7供应商...

更新时间：2025-12-21 14:14:00

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