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IPP200N25N3中文资料

厂家型号

IPP200N25N3

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2

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET N-channel POWER MOS

数据手册

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生产厂商

ISC

IPP200N25N3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

· Drain Current -ID=64A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS=250V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 20mΩ(Max)@VGS= 10V

APPLICATIONS

·Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

IPP200N25N3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPP200N25N3

  • 功能描述

    MOSFET N-channel POWER MOS

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-4 10:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
7098
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。
INFINEON/英飞凌
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Infineon
1125+/113
TO-220
3500
原装正品现货供应56
INFINEON/英飞凌
24+
TO-220
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原装进口假一罚十
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