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IPI60R125CP中文资料

厂家型号

IPI60R125CP

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330.81Kbytes

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET COOL MOS N-CH 650V 0.125Ohms

数据手册

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生产厂商

ISC

IPI60R125CP数据手册规格书PDF详情

• DESCRIPTION

• Ultra low gate charge

• High peak current capability

• FEATURES

• Static drain-source on-resistance:

RDS(on) ≤0.125Ω

• Enhancement mode

• Fast Switching Speed

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

IPI60R125CP产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPI60R125CP

  • 功能描述

    MOSFET COOL MOS N-CH 650V 0.125Ohms

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-6 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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