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IPD90R1K2C3中文资料

厂家型号

IPD90R1K2C3

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336.43Kbytes

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2

功能描述

N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET N-Channel MOSFET 500-900V

数据手册

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生产厂商

ISC

IPD90R1K2C3数据手册规格书PDF详情

• DESCRITION

• High peak current capability

• FEATURES

• Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤1.2Ω

• Enhancement mode:

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

IPD90R1K2C3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    IPD90R1K2C3

  • 功能描述

    MOSFET N-Channel MOSFET 500-900V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-11 16:53:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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IPD90R1K2C3 价格

参考价格:¥5.1274

型号:IPD90R1K2C3 品牌:Infineon 备注:这里有IPD90R1K2C3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,IPD90R1K2C3批发/采购报价,IPD90R1K2C3行情走势销售排排榜,IPD90R1K2C3报价。

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