位置：IPD35N10S3L-26 > IPD35N10S3L-26详情
IPD35N10S3L-26中文资料
IPD35N10S3L-26数据手册规格书PDF详情
·FEATURES
·Drain Current –ID= 35A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage-
: VDSS= 100V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 24mΩ(Max)
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
·DESCRITION
·Ultra Low On-resistance
·Fast Switching
IPD35N10S3L-26产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPD35N10S3L-26
- 功能描述
MOSFET N-Channel enh MOSFET 100V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
20+ |
TO-252 |
12115 |
终端可免费提供样品,欢迎咨询 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-252 |
17668 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON |
21+ |
TO-252 |
10000 |
十年信誉,只做原装,有挂就有现货! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-252 |
400 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
INFINEON |
21+ |
2500 |
原装正品 香港现货报关3-5天 |
||||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
21+ |
TO-252 |
9800 |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
INFINEON |
25+ |
TO-252 |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
17+ |
PG-TO252-3DPAK |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
Infineon |
23+ |
TO252 |
8500 |
原厂原装正品 |
IPD35N10S3L-26 价格
参考价格：￥2.1029
IPD35N10S3L-26 资料下载更多...
IPD35N10S3L-26相关电子新闻
IPD35N10S3L-26
https://hfx03.114ic.com
2022-12-7
IPD35N10S3L-26 芯片相关型号
- 20SNS
- 232-002P16-26PD
- 232-002P16-26PN
- 232-002P16-26XC
- 232-002P16-26XD
- 232-002P16-26XN
- 232-002P16-6PB
- 232-002P16-6PC
- 232-002P16-6XC
- 232-002P16-6XD
- 2SK3354
- 2SK3354-S
- 2SK3354-Z
- 2SK3354-ZJ
- B560CX
- B560CX-13
- DC19F20
- DRV8461
- DRV8461DDWR
- DRV8461PWPR
- DRV8461SPWPR
- DRV8462
- ISL3178AE
- ISL3178AEM
- ISL3178AEMBZ
- TW060N120C
- TW060N120CS1F
- VPJ69595B
- VPJ69595B-92FAK
- VPJ69595B-92VC1
ISC相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26305条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
