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IPA65R660CFD中文资料
IPA65R660CFD数据手册规格书PDF详情
• FEATURES
• With TO-220F Package
• Drain Source Voltage-
: VDSS=650V(Min)
• Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.66Ω (Max)
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
• APPLICATIONS
• Switching applications
IPA65R660CFD产品属性
- 类型
描述
- 型号
IPA65R660CFD
- 功能描述
MOSFET N-CH 650V 6.0A TO220
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
CoolMOS™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON |
20+ |
TO-220 |
20000 |
全新原装公司现货
|
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
20000 |
进口原装现货 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO-220 |
10000 |
只做原装 有挂有货 假一赔十 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220 |
8145 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
INFINEO |
2020+ |
TO-220F |
40 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
Infineon |
24+ |
NA |
3530 |
进口原装正品优势供应 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220F |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
25+23+ |
TO-220 |
28532 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
IPA65R660CFD 价格
参考价格：￥5.7781
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- 32F769IDISCOVERY
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- ATS-20E-208-C2-R0
- ATS-20E-208-C3-R0
- ATS-20E-209-C1-R0
- ATS-20E-209-C2-R0
- ATS-20E-209-C3-R0
- ATS-20E-210-C1-R0
- ATS-20E-210-C2-R0
- ATS-20E-210-C3-R0
- ATS-20E-21-C3-R0
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- P101
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 27261条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
