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IGW75N60T中文资料
IGW75N60T数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
· Low Switching Losses
· Low VCE (ON)
· Ultra Low Leakage Current
APPLICATIONS
· Industrial Power Supplies
· Industrial Drives
· Solar Inverters
IGW75N60T产品属性
- 类型
描述
- 型号
IGW75N60T
- 功能描述
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 75A
- RoHS
否
- 制造商
Fairchild Semiconductor
- 配置
集电极—发射极最大电压
- VCEO
650 V
- 集电极—射极饱和电压
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压
20 V 在25
- C的连续集电极电流
150 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
187 W
- 封装/箱体
TO-247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
23+ |
IGBT |
500 |
全新原装现货,价格优势 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-247 |
1076 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
25+ |
TO-247 |
32360 |
INFINEON/英飞凌全新特价IGW75N60T即刻询购立享优惠#长期有货 |
|||
INFINEON原装正品专卖 |
23+ |
TO-247 |
12000 |
专注原装正品现货特价中量大可定 |
|||
INFINEON |
11PH |
TO-247 |
3840 |
原厂直销 |
|||
英飞翎 |
17+ |
TO-247 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
19+ |
TO-126 |
1985 |
正规渠道原装正品 |
|||
INFINEON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
INFINEON |
2430+ |
TO247 |
8540 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
|||
INFINEON |
2016+ |
TO-247 |
6000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
IGW75N60TFKSA1 价格
参考价格:¥27.8653
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- 1414690
- 628-050-228-061
- 628-050-228-066
- AGLN010V2-ZCS100
- AGLN010V2-ZCS100ES
- AGLN010V2-ZCS100I
- AGLN010V2-ZCS100PP
- AGLN010V2-ZCS100Y
- AGLN010V2-ZCS100YES
- AGLN010V2-ZCS100YI
- AGLN010V2-ZCS100YPP
- FNS-KA-A/E
- FNS-KA-B
- FNS-KA-C
- FNS-KA-C/E
- FNS-KA-D
- FNS-KA-F
- FNS-KA-G
- FNS-KA-H
- FNS-KA-J
- FNS-KA-P
- FNS-KA-R
- FNS-KA-S
- FNS-KA-V
- JZ-203
- LD047D101JAB4A
- LD047D101JAX2A
- LD047D101JAX4A
- M2REB-S51-P
- TCW115X135X10
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P99
- P100
- P101
- P102
- P103
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售