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GCMS010B120S1-E1中文资料

厂家型号

GCMS010B120S1-E1

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469.19Kbytes

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3

功能描述

SiC N-Channel MOSFET Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

GCMS010B120S1-E1数据手册规格书PDF详情

FEATURES

· Drain Current -ID= 205A@ TC=25℃

· Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min)

· Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 20V

· High Speed Switching SiC MOSFETs

APPLICATIONS

· Battery Charger

· Photovoltaic Inverter

· Server Power Supplies

· Uninterruptible Power Supply (UPS)

更新时间:2021-9-14 10:50:00
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