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GCMS010B120S1-E1中文资料
GCMS010B120S1-E1数据手册规格书PDF详情
FEATURES
· Drain Current -ID= 205A@ TC=25℃
· Drain Source Voltage -VDSS= 1200V(Min)
· Static Drain-Source On-Resistance
-RDS(on) = 14mΩ(Max)@VGS= 20V
· High Speed Switching SiC MOSFETs
APPLICATIONS
· Battery Charger
· Photovoltaic Inverter
· Server Power Supplies
· Uninterruptible Power Supply (UPS)
更新时间：2021-9-14 10:50:00
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ISC相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
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无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
