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厂家型号	FQP10N60C
文件大小	302.74Kbytes
页面数量	2页
功能描述	isc N-Channel MOSFET Transistor MOSFET 600V N-Ch Q-FET advance C-Series
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ISC

FEATURES

·Drain Current -ID=9.5A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS=600V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) =0.73Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

FQP10N60C供应商...

更新时间：2025-11-25 19:31:00

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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