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厂家型号	FQAF19N20
文件大小	421.37Kbytes
页面数量	2页
功能描述	isc N-Channel MOSFET Transistor MOSFET 200V N-Channel QFET
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ISC

FEATURES

·Drain Current –ID=15A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage-

: VDSS=200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.15Ω(Max)@VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

FQAF19N20供应商...

更新时间：2025-11-27 10:22:00

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