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FDP020N06B中文资料
FDP020N06B数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current : ID=313A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage
: VDSS= 60V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 2mΩ(Max) @VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
FDP020N06B产品属性
- 类型
描述
- 型号
FDP020N06B
- 功能描述
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220-3
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
PowerTrench®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO-220-3 |
3580 |
原装现货/15年行业经验欢迎询价 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
TO220 |
145 |
原厂授权代理 价格绝对优势 |
|||
仙童 |
24+ |
NA |
6800 |
||||
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
7828 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
ON/安森美 |
2410+ |
TO-220 |
1150 |
原装正品.假一赔百.正规渠道.原厂追溯. |
|||
ON(安森美) |
2024+ |
TO-220 |
10130 |
诚信服务,绝对原装原盘 |
|||
FSC |
2016+ |
TO-220 |
3000 |
公司只做原装,假一罚十,可开17%增值税发票! |
|||
FAIRCHI |
21+ |
TO-220 |
12588 |
原装正品,自己库存 假一罚十 |
|||
FSC |
24+ |
TO-220 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
FDP020N06B_F102 价格
参考价格:¥16.1538
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- 56CAD-B24-B15/R80L
- 56CAD-B24-B15/R81L
- 56CAD-B24-B18/R80L
- 56CAD-B24-B18/R81L
- 56CAD-B24-B20/R80L
- 56CAD-B24-B20/R81L
- 56CAD-B24-B22/R80L
- 56CAD-B24-B22/R81L
- 56CAD-B24-B23/R80L
- 56CAD-B24-B23/R81L
- EHT-105-01-L-D-SM-K
- EHT-105-01-L-D-SM-LC
- EHT-105-01-L-D-SM-P
- EHT-105-01-L-D-SM-SR
- EHT-105-01-L-D-SM-TR
- FDP023N08B
- IDT8T49N004I
- IDT8T49N006I
- IDT8T49N008I
- IDT8T49N105I
- IDT8T49N205I
- IDT8T49N222I
- TZ0448A
- TZ0449A
- X5643S14I
- X5643S14I-4.5A
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售