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BUV26G中文资料

厂家型号

BUV26G

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258.459Kbytes

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistors

两极晶体管 - BJT 20A 90V 85W NPN

数据手册

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生产厂商

ISC

BUV26G数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Sustaining Voltage-

: VCEO(SUS) = 90V(Min)

• High Switching Speed

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance

and reliable operation

APPLICATIONS

• Designed for fast switching applications such as high

frequency and efficiency converters, switching regulators

and motor control.

BUV26G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUV26G

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 20A 90V 85W NPN

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-7 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
24+
TO-2203LEADSTANDA
8866
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全新原装正品现货,支持订货
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十年配单,只做原装

BUV26G 价格

参考价格:¥2.8941

型号:BUV26G 品牌:ON 备注:这里有BUV26G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BUV26G批发/采购报价,BUV26G行情走势销售排排榜,BUV26G报价。

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