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BUT11AI中文资料

厂家型号

BUT11AI

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

两极晶体管 - BJT BUT11AI/SOT78/RAILH//

数据手册

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生产厂商

ISC

BUT11AI数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• High Voltage

• High Speed Switching

APPLICATIONS

• Converters

• Inverters

• Switching regulators

• Motor control systems

BUT11AI产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUT11AI

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT BUT11AI/SOT78/RAILH//

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-2-13 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
恩XP
24+
130034
PH
24+
原厂封装
2500
原装现货假一罚十
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TO-220
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公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存!
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全现原装公司现货
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