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BUL903ED中文资料

厂家型号

BUL903ED

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190.58Kbytes

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw

数据手册

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生产厂商

Inchange Semiconductor Company Limited

简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

LOGO

BUL903ED产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUL903ED

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN Hi-Volt Fast Sw

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-4-26 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
07+/08+
TO-220-3
949
STMicro.
23+
TO-220
7750
全新原装优势
ST
23+
TO-TO-220
37650
全新原装真实库存含13点增值税票!
STM原厂目录
23+
TO-220
96000
全新原装
ST/意法
23+
TO-220
10000
公司只做原装正品
22+
NA
3000
加我QQ或微信咨询更多详细信息,
ST
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
ST
2022+
TO-220
7300
原装现货
ST/意法
22+
N
30000
十七年VIP会员,诚信经营,一手货源,原装正品可零售!
ST/意法
22+
TO-220
28000
原装现货只有原装.假一罚十

BUL903ED 晶体管资料

  • BUL903ED别名:BUL903ED三极管、BUL903ED晶体管、BUL903ED晶体三极管

  • BUL903ED生产厂家

  • BUL903ED制作材料:Si-N+Di

  • BUL903ED性质:开关管 (S)_功率放大 (L)

  • BUL903ED封装形式:直插封装

  • BUL903ED极限工作电压:900V

  • BUL903ED最大电流允许值:5A

  • BUL903ED最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BUL903ED引脚数:3

  • BUL903ED最大耗散功率:70W

  • BUL903ED放大倍数

  • BUL903ED图片代号:B-10

  • BUL903EDvtest:900

  • BUL903EDhtest:999900

  • BUL903EDatest:5

  • BUL903EDwtest:70

  • BUL903ED代换 BUL903ED用什么型号代替:BUT11,BUT46,BUV46,2SC3047,

ISC相关电路图

  • ISOCOM
  • ISSI
  • IST
  • ITE
  • ITECH
  • ITF
  • ITT
  • IVO
  • IXYS
  • JAE
  • JAM
  • JAUCH

Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司

中文资料: 21829条

无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售