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BUL59中文资料

厂家型号

BUL59

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功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

两极晶体管 - BJT NPN High Voltage 850 VCES 400 VCEO

数据手册

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生产厂商

ISC

BUL59数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector–Emitter Sustaining Voltage

: VCEO(SUS) = 400V(Min.)

·Collector Saturation Voltage

: VCE(sat) = 0.5V(Max) @ IC= 2A

·High Speed Switching

APPLICATIONS

·Designed for use in lighting applications and low cost switch mode power supplies.

BUL59产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BUL59

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT NPN High Voltage 850 VCES 400 VCEO

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-11-27 10:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
06+
TO-220
50000
原装库存
ST
24+
原厂封装
4000
原装现货假一罚十
ST
24+
10000
ST
23+
TO-220
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