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DESCRIPTION
· Collector-Emitter Breakdown Voltage
-V(BR)CEO= 400V(Min)
· Collector-Emitter Saturation Voltage
-VCE(sat) :0.2V(Max) @IC=1.6A
APPLICATIONS
· Electronic lamp ballast circuits
· Switch-mode power supplies
BUF650产品属性
- 类型
描述
- 型号
BUF650
- 功能描述
TRANSISTOR | BJT | NPN | 400V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-220AB
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- GRJ216R71H102ME01-01
- GRJ216R71H103KE01
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BUF650 晶体管资料
BUF650别名：BUF650三极管、BUF650晶体管、BUF650晶体三极管
BUF650生产厂家：
BUF650制作材料：Si-NPN
BUF650性质：LO_SAT
BUF650封装形式：直插封装
BUF650极限工作电压：700V
BUF650最大电流允许值：10A
BUF650最大工作频率：<1MHZ或未知
BUF650引脚数：3
BUF650最大耗散功率：70W
BUF650放大倍数：
BUF650图片代号：B-10
BUF650vtest：700
BUF650htest：999900
- BUF650atest：10
BUF650wtest：70
BUF650代换 BUF650用什么型号代替：
Datasheet数据表PDF页码索引
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