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DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 10V(Min.)
·Noise figure (NF Typ) = 1.8 dB
·9 GHz fT silicon technology
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
BURR-BROWN |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
BB |
1738+ |
DIP-8 |
8529 |
科恒伟业!只做原装正品,假一赔十! |
|||
TI |
23+ |
1888 |
|||||
BB |
2015+ |
SOP/DIP |
19889 |
一级代理原装现货,特价热卖! |
|||
BB |
24+ |
DIP8 |
100 |
||||
TI |
2016+ |
DIP-8 |
8880 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
TI |
1628+ |
DIP8 |
320 |
代理品牌 |
|||
BURR-BROWN |
23+ |
DIP8 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
BB |
00+ |
DIP8 |
22 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
BURR-BROWN |
24+ |
NA/ |
3272 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
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BUF550 芯片相关型号
- 45W1000H02LXT4
- 45W1000H02LXT5
- 45W1000H02LXT7
- 45W1000H02LXT9
- 627-M37-222-BN1
- 627-M37-222-BN2
- 627-M37-222-BT1
- 627-M37-222-BT2
- 627-M37-222-GN1
- 627-M37-222-GN2
- 627-M37-222-GT1
- 627-M37-222-WN1
- 627-M37-222-WN2
- 627-M37-222-WT1
- 627-M37-222-WT2
- 857-034-524-201
- 857-034-524-202
- 857-034-524-203
- 857-034-524-204
- 857-034-524-207
- 857-034-524-208
- 857-034-524-212
- W2CA-511-M2/CE
- W2CA-511-M2/N
- W2CA-511-M2/Q
- W2CA-511-M2/UL
- W2CA-511-P
- W2CA-511-P/CE
- W2CA-511-P/N
- W2CA-511-P/Q
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P100
- P101
- P102
Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售