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BUF550中文资料

厂家型号

BUF550

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3

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistors

数据手册

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生产厂商

ISC

BUF550数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 10V(Min.)

·Noise figure (NF Typ) = 1.8 dB

·9 GHz fT silicon technology

APPLICATIONS

·Designed for low frequency power amplifier applications.