位置:BU506D > BU506D详情

BU506D中文资料

厂家型号

BU506D

文件大小

55.07Kbytes

页面数量

3

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

Silicon diffused power transistors

数据手册

下载地址一下载地址二到原厂下载

生产厂商

Inchange Semiconductor Company Limited

简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

LOGO

BU506D产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BU506D

  • 制造商

    PHILIPS

  • 制造商全称

    NXP Semiconductors

  • 功能描述

    Silicon diffused power transistors

更新时间:2024-5-10 13:37:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
isc
2024
TO-220
100
国产品牌isc,可替代原装
ISC
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
PH
23+
TO-220
200
ST
23+
TO-TO-220
37650
全新原装真实库存含13点增值税票!
ST/意法
23+
TO-220
10000
公司只做原装正品
ST
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
ST
22+
TO-220
25000
只做原装进口现货,专注配单
N/A
23+
BGA
5177
现货
PHI
05+
原厂原装
10451
只做全新原装真实现货供应
TO-220
10000
全新

BU506D 晶体管资料

  • BU506D别名:BU506D三极管、BU506D晶体管、BU506D晶体三极管

  • BU506D生产厂家

  • BU506D制作材料:Si-N+Di

  • BU506D性质:+INTEGR_DIODE

  • BU506D封装形式:直插封装

  • BU506D极限工作电压:1500V

  • BU506D最大电流允许值:5A

  • BU506D最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BU506D引脚数:3

  • BU506D最大耗散功率:100W

  • BU506D放大倍数

  • BU506D图片代号:B-10

  • BU506Dvtest:1500

  • BU506Dhtest:999900

  • BU506Datest:5

  • BU506Dwtest:100

  • BU506D代换 BU506D用什么型号代替

ISC相关电路图

  • ISOCOM
  • ISSI
  • IST
  • ITE
  • ITECH
  • ITF
  • ITT
  • IVO
  • IXYS
  • JAE
  • JAM
  • JAUCH

Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司

中文资料: 21891条

无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售