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BDT61B中文资料

厂家型号

BDT61B

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2

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistors

达林顿晶体管 50W 4A NPN

数据手册

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生产厂商

ISC

BDT61B数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• DC Current Gain -hFE = 750(Min)@ IC= 1.5A

• Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS) = 60V(Min)- BDT61; 80V(Min)- BDT61A; 100V(Min)- BDT61B; 120V(Min)- BDT61C

• Complement to Type BDT60/A/B/C

APPLICATIONS

• Designed for use in audio amplifier output stages , general purpose amplifier and high speed switching applications

BDT61B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BDT61B

  • 功能描述

    达林顿晶体管 50W 4A NPN

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2025-10-6 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220
10000
全新
PHI
05+
原厂原装
200
只做全新原装真实现货供应
ST/进口原
17+
TO-220
6200
ST/进口原
24+
TO-220
5000
只做原装公司现货
ST
18+
TO-220
41200
原装正品,现货特价
ST
20+
TO-220
38560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
ST/意法
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
ST
22+
TO-220
6000
十年配单,只做原装
ST
1114+
TO-220
10
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
ST/意法
24+
NA/
10
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票

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