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BD808中文资料

厂家型号

BD808

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2

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

Plastic High Power Silicon PNP Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

BD808数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• DC Current Gain - : hFE =30@ IC= -2A

• Collector-Emitter Sustaining Voltage- : VCEO(SUS)= -60V(Min)

• Complement to Type BD807

APPLICATIONS

• Designed for use in high power audio amplifiers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

BD808产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD808

  • 功能描述

    Plastic High Power Silicon PNP Transistor

更新时间:2026-1-29 10:21:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-220
10000
全新
ON
16+
TO-220
10000
全新原装现货
恩XP
23+
TO-252
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
ON/安森美
2022+
TO-220
12888
原厂代理 终端免费提供样品
ON/ST/PH
23+
TO-220
101340
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
NORTH AMERICAN INTERCONNECT (N
23+
SMD
880000
明嘉莱只做原装正品现货
24+
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52000
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择
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25+
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独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
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行业低价,代理渠道

BD808 晶体管资料

  • BD808别名:BD808三极管、BD808晶体管、BD808晶体三极管

  • BD808生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • BD808制作材料:Si-PNP

  • BD808性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD808封装形式:直插封装

  • BD808极限工作电压:70V

  • BD808最大电流允许值:10A

  • BD808最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD808引脚数:3

  • BD808最大耗散功率:90W

  • BD808放大倍数

  • BD808图片代号:B-10

  • BD808vtest:70

  • BD808htest:999900

  • BD808atest:10

  • BD808wtest:90

  • BD808代换 BD808用什么型号代替:BD546B,BD708,3CD100C,