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DESCRIPTION
• High Collector–Emitter Sustaining Voltage — VCEO(sus) = 100 Vdc (Min)
• High DC Current Gain @ IC = 200 mAdc hFE = 40–250
• Low Collector–Emitter Saturation Voltage — VCE(sat) = 0.5 Vdc (Max) @ IC = 500 mAdc
APPLICATIONS
• Designed for low power audio amplifier and low current, high-speed switching applications.
BD791产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD791
- 制造商
Rochester Electronics LLC
- 功能描述
- Bulk
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
ROHM |
19+ |
SSOP-20P |
23198 |
||||
ON/安森美 |
24+ |
TO-126 |
505348 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
MOT |
23+ |
原厂原装 |
26000 |
全新原装 |
|||
ROHM |
16+ |
T0-126 |
10000 |
全新原装现货 |
|||
ON/安森美 |
23+ |
TO-126 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-126 |
6000 |
十年配单,只做原装 |
|||
mot |
24+ |
500000 |
行业低价,代理渠道 |
||||
Freescale |
23+ |
原厂封装 |
5177 |
现货 |
|||
ON/安森美 |
24+ |
NA/ |
36 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
|||
NXP/恩智浦 |
22+ |
TO-126 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
BD791 资料下载更多...
BD791 芯片相关型号
BD791 晶体管资料
BD791别名:BD791三极管、BD791晶体管、BD791晶体三极管
BD791生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司
BD791制作材料:Si-NPN
BD791性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
BD791封装形式:直插封装
BD791极限工作电压:100V
BD791最大电流允许值:4A
BD791最大工作频率:>50MHZ
BD791引脚数:3
BD791最大耗散功率:15W
BD791放大倍数:
BD791图片代号:B-21
BD791vtest:100
BD791htest:50000100
- BD791atest:4
BD791wtest:15
BD791代换 BD791用什么型号代替:BDX35,BDX36,BDX37,MJE240,MJE241,MJE242,MJE243,MJE244,3DA97D,
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售