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BD745B中文资料

厂家型号

BD745B

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3

功能描述

Silicon NPN Power Transistors

两极晶体管 - BJT 115W NPN Silicon

数据手册

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生产厂商

Inchange Semiconductor Company Limited

简称

ISC无锡固电

中文名称

无锡固电半导体股份有限公司官网

LOGO

BD745B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD745B

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 115W NPN Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2024-5-18 16:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TO-3PN
10000
全新
ST
17+
TO-218
15000
原装现货热卖
BOURNS
23+
NA
19960
只做进口原装,终端工厂免费送样
ST/意法
23+
TO-218
90000
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持
NXP/恩智浦
23+
TO-3P
10000
公司只做原装正品
NXP/恩智浦
22+
TO-3P
6000
十年配单,只做原装
MOT
2022+
TO-3
7300
原装现货
N/A
23+
原厂封装
5177
现货
NXP/恩智浦
22+
TO-3P
91600
终端免费提供样品 可开13%增值税发票
NXP/恩智浦
22+
TO-3P
91600

BD745B 晶体管资料

  • BD745B别名:BD745B三极管、BD745B晶体管、BD745B晶体三极管

  • BD745B生产厂家:美国得克萨斯仪表公司

  • BD745B制作材料:Si-NPN

  • BD745B性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • BD745B封装形式:直插封装

  • BD745B极限工作电压:90V

  • BD745B最大电流允许值:20A

  • BD745B最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD745B引脚数:3

  • BD745B最大耗散功率:115W

  • BD745B放大倍数

  • BD745B图片代号:B-62

  • BD745Bvtest:90

  • BD745Bhtest:999900

  • BD745Batest:20

  • BD745Bwtest:115

  • BD745B代换 BD745B用什么型号代替:BD249B,DK151D,

ISC相关电路图

  • ISOCOM
  • ISSI
  • IST
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  • ITECH
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  • IVO
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  • JAM
  • JAUCH

Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司

中文资料: 21953条

无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售