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BD651中文资料

厂家型号

BD651

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108.26Kbytes

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2

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon

数据手册

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生产厂商

ISC

BD651数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 120V(Min)

• High DC Current Gain : hFE= 750(Min) @IC= 3A

• Low Saturation Voltage

• Complement to Type BD652

APPLICATIONS

• Designed for use as complementary AF push-pull output stage applications

BD651产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD651

  • 功能描述

    达林顿晶体管 62.5W NPN Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    Texas Instruments

  • 配置

    Octal

  • 晶体管极性

    NPN 集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    50 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    集电极—基极电压

  • 最大直流电集电极电流

    0.5 A

  • 最大工作温度

    + 150 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOIC-18

  • 封装

    Reel

更新时间:2026-1-28 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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BD6519FJ-E2 价格

参考价格:¥6.4809

型号:BD6519FJ-E2 品牌:Rohm 备注:这里有BD651多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BD651批发/采购报价,BD651行情走势销售排排榜,BD651报价。

BD651 晶体管资料

  • BD651别名:BD651三极管、BD651晶体管、BD651晶体三极管

  • BD651生产厂家:德国AEG公司_德国西门子AG公司_德国凡尔伏公司

  • BD651制作材料:Si-N+Darl+Di

  • BD651性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD651封装形式:直插封装

  • BD651极限工作电压:140V

  • BD651最大电流允许值:8A

  • BD651最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD651引脚数:3

  • BD651最大耗散功率:62.5W

  • BD651放大倍数

  • BD651图片代号:B-10

  • BD651vtest:140

  • BD651htest:999900

  • BD651atest:8

  • BD651wtest:62.5

  • BD651代换 BD651用什么型号代替:BDW3D,BDX33D,BDX53E,BDT21,FD50C,