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BD637中文资料

厂家型号

BD637

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功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

BD637数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= 25mA

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 80V(Min.)

• Complement to Type BD638

APPLICATIONS

• Designed for amplifier and switching applications.

BD637产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD637

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    Silicon NPN Power Transistor

更新时间:2026-1-27 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ROHM/罗姆
25+
28-HTSSOP-B
32360
ROHM/罗姆全新特价BD63731EFV-E2即刻询购立享优惠#长期有货
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只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
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TO-220
10000
全新原装现货

BD63720AEFV-E2 价格

参考价格:¥8.2224

型号:BD63720AEFV-E2 品牌:ROHM 备注:这里有BD637多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,BD637批发/采购报价,BD637行情走势销售排排榜,BD637报价。

BD637 晶体管资料

  • BD637别名:BD637三极管、BD637晶体管、BD637晶体三极管

  • BD637生产厂家:美国得克萨斯仪表公司

  • BD637制作材料:Si-NPN

  • BD637性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD637封装形式:直插封装

  • BD637极限工作电压:100V

  • BD637最大电流允许值:2A

  • BD637最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD637引脚数:3

  • BD637最大耗散功率:30W

  • BD637放大倍数

  • BD637图片代号:B-10

  • BD637vtest:100

  • BD637htest:999900

  • BD637atest:2

  • BD637wtest:30

  • BD637代换 BD637用什么型号代替:BD241C,BD581,3DD158,