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BD635中文资料

厂家型号

BD635

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功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

BD635数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·DC Current Gain -: hFE = 40(Min.)@ IC= 25mA

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min.)

·Complement to Type BD636

APPLICATIONS

·Designed for amplifier and switching applications.

BD635产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD635

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon NPN Power Transistor

更新时间:2025-10-6 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原装
25+
SOP-8
20300
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ROHM/罗姆
24+
NA
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20000
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10000
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16+
TO-220
10000
全新原装现货
24+
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18+
9800
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ROHM
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RohmSemiconductor
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