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DESCRIPTION
·DC Current Gain -: hFE = 40(Min.)@ IC= 25mA
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min.)
·Complement to Type BD636
APPLICATIONS
·Designed for amplifier and switching applications.
BD635产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD635
- 制造商
ISC
- 制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述
isc Silicon NPN Power Transistor
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISC |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
ROHM/罗姆 |
24+ |
NA |
8600 |
正品原装,正规渠道,免费送样。联系QQ:1479738171 |
|||
ROHM |
25+ |
SMD |
20000 |
专做罗姆，一系列可以订货排单，只做原装正品假一罚十 |
|||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
||||
ST |
16+ |
TO-220 |
10000 |
全新原装现货 |
|||
N/A |
23+ |
原厂封装 |
5177 |
现货 |
|||
24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
||||
ROHM |
2016+ |
SOP |
4558 |
只做进口原装现货!假一赔十! |
|||
ROHM |
25+23+ |
SOP8 |
22862 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
Rohm(罗姆) |
18+ |
9800 |
代理进口原装/实单价格可谈 |
BD635 资料下载更多...
BD635 芯片相关型号
BD635 晶体管资料
BD635别名：BD635三极管、BD635晶体管、BD635晶体三极管
BD635生产厂家：美国得克萨斯仪表公司
BD635制作材料：Si-NPN
BD635性质：低频或音频放大 （LF）_功率放大 （L）
BD635封装形式：直插封装
BD635极限工作电压：60V
BD635最大电流允许值：2A
BD635最大工作频率：<1MHZ或未知
BD635引脚数：3
BD635最大耗散功率：30W
BD635放大倍数：
BD635图片代号：B-10
BD635vtest：60
BD635htest：999900
- BD635atest：2
BD635wtest：30
BD635代换 BD635用什么型号代替：BD241A,BD577,3DD158B,
ISC相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
中文资料: 26415条
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年，长期致力于功率半导体器件国产化替代进口，拥有isc和iscsemi两个品牌，获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累，提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块，并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品，同时也销售
