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BD635中文资料

厂家型号

BD635

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

BD635数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·DC Current Gain -: hFE = 40(Min.)@ IC= 25mA

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 60V(Min.)

·Complement to Type BD636

APPLICATIONS

·Designed for amplifier and switching applications.

BD635产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD635

  • 制造商

    ISC

  • 制造商全称

    Inchange Semiconductor Company Limited

  • 功能描述

    isc Silicon NPN Power Transistor

更新时间:2026-1-27 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
原装
25+
SOP-8
20300
原装特价BD63536FJ-E2即刻询购立享优惠#长期有货
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25+
SMD
20000
专做罗姆,一系列可以订货排单,只做原装正品假一罚十
24+
TO-220
10000
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16+
TO-220
10000
全新原装现货
ROHM
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绝对原装正品全新进口深圳现货
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BD635 晶体管资料

  • BD635别名:BD635三极管、BD635晶体管、BD635晶体三极管

  • BD635生产厂家:美国得克萨斯仪表公司

  • BD635制作材料:Si-NPN

  • BD635性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD635封装形式:直插封装

  • BD635极限工作电压:60V

  • BD635最大电流允许值:2A

  • BD635最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD635引脚数:3

  • BD635最大耗散功率:30W

  • BD635放大倍数

  • BD635图片代号:B-10

  • BD635vtest:60

  • BD635htest:999900

  • BD635atest:2

  • BD635wtest:30

  • BD635代换 BD635用什么型号代替:BD241A,BD577,3DD158B,