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BD545C中文资料

厂家型号

BD545C

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

两极晶体管 - BJT 70W NPN Silicon

数据手册

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生产厂商

ISC

BD545C数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector Current -IC= 15A

• Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO = 40V(Min)- BD545; 60V(Min)- BD545A

80V(Min)- BD545B; 100V(Min)- BD545C

• Complement to Type BD546/A/B/C

APPLICATIONS

• Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications

BD545C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD545C

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 70W NPN Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-5-20 18:44:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
TI
24+/25+
160
原装正品现货库存价优
ST
24+
25
BOURNS/伯恩斯
22+
TO-3P
6000
十年配单,只做原装
Bourns Inc.
25+
SOT-93
18746
样件支持,可原厂排单订货!

BD545C 晶体管资料

  • BD545C别名:BD545C三极管、BD545C晶体管、BD545C晶体三极管

  • BD545C生产厂家:美国得克萨斯仪表公司

  • BD545C制作材料:Si-NPN

  • BD545C性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD545C封装形式:直插封装

  • BD545C极限工作电压:100V

  • BD545C最大电流允许值:15A

  • BD545C最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD545C引脚数:3

  • BD545C最大耗散功率:85W

  • BD545C放大倍数

  • BD545C图片代号:B-10

  • BD545Cvtest:100

  • BD545Chtest:999900

  • BD545Catest:15

  • BD545Cwtest:85

  • BD545C代换 BD545C用什么型号代替:BD711,BD743C,BD911,3DD69D,