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BD540B中文资料

厂家型号

BD540B

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2

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

两极晶体管 - BJT 45W PNP Silicon

数据手册

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生产厂商

ISC

BD540B数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• DC Current Gain -

: hFE = 40(Min.)@ IC= -0.5A

• Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= -80V(Min)

• Complement to Type BD539B

APPLICATIONS

• Designed for use in medium power linear and switching

applications.

BD540B产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD540B

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 45W PNP Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-7 16:01:00
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