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BD539中文资料

厂家型号

BD539

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

两极晶体管 - BJT 45W NPN Silicon

数据手册

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生产厂商

ISC

BD539数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• DC Current Gain - : hFE = 40(Min.)@ IC= 0.5A

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 40V(Min)

• Complement to Type BD540

APPLICATIONS

• Designed for use in medium power linear and switching applications.

BD539产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD539

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 45W NPN Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2026-1-27 14:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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BD539 晶体管资料

  • BD539别名:BD539三极管、BD539晶体管、BD539晶体三极管

  • BD539生产厂家:美国得克萨斯仪表公司

  • BD539制作材料:Si-NPN

  • BD539性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD539封装形式:直插封装

  • BD539极限工作电压:40V

  • BD539最大电流允许值:5A

  • BD539最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD539引脚数:3

  • BD539最大耗散功率:45W

  • BD539放大倍数

  • BD539图片代号:B-10

  • BD539vtest:40

  • BD539htest:999900

  • BD539atest:5

  • BD539wtest:45

  • BD539代换 BD539用什么型号代替:BD243,BD543,BD595,3DD64B,