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BD314中文资料

厂家型号

BD314

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功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3

数据手册

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生产厂商

ISC

BD314数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Excellent Safe Operating Area

• DC Current Gain-hFE= 25(Min.)@IC = -4A

• Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= -1.0 V(Max)@ IC = -5A

• Complement to Type BD313

APPLICATIONS

• Designed for high quality amplifiers operating up to 60 watts into 4 ohm load.

BD314产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD314

  • 功能描述

    TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 10A I(C) | TO-3

更新时间:2026-1-27 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-3
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全新
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只做原装正品现货或订货假一赔十!
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TO-3
60000
只有原装 可配单

BD314 晶体管资料

  • BD314别名:BD314三极管、BD314晶体管、BD314晶体三极管

  • BD314生产厂家:美国摩托罗拉半导体公司

  • BD314制作材料:Si-PNP

  • BD314性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • BD314封装形式:直插封装

  • BD314极限工作电压:80V

  • BD314最大电流允许值:10A

  • BD314最大工作频率:<1MHZ或未知

  • BD314引脚数:2

  • BD314最大耗散功率:150W

  • BD314放大倍数

  • BD314图片代号:E-44

  • BD314vtest:80

  • BD314htest:999900

  • BD314atest:10

  • BD314wtest:150

  • BD314代换 BD314用什么型号代替:BDW52B,3CK109C,