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BD250C中文资料

厂家型号

BD250C

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2

功能描述

isc Silicon PNP Power Transistor

两极晶体管 - BJT 120W PNP Silicon

数据手册

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生产厂商

ISC

BD250C数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• With TO-3PN package

• Complement to type BD249/A/B/C

• 125 W at 25°C case temperature

• 25 A continuous collector current

BD250C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD250C

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 120W PNP Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-9 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-3PN
10000
全新
24+
原厂封装
4612
原装现货假一罚十
ST
24+
TO-218
15000
原装现货热卖
ST
23+
TO-247
5000
原装正品,假一罚十
TI
23+
NA
262
专做原装正品,假一罚百!
POWER
2447
TO-247
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
TI
24+
原厂原装
5850
ELE优势库存国外货源
POWER
23+
TO-218
50000
全新原装正品现货,支持订货
TOSHIBA/东芝
2022+
TO-3P
22022
原厂代理 终端免费提供样品
ti
24+
500000
行业低价,代理渠道

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