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BD250中文资料

厂家型号

BD250

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3

功能描述

Silicon PNP Power Transistors

两极晶体管 - BJT 120W PNP Silicon

数据手册

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生产厂商

ISC

BD250数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• With TO-3PN package

• Complement to type BD249/A/B/C

• 125 W at 25°C case temperature

• 25 A continuous collector current

BD250产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD250

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 120W PNP Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-12 16:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
24+
TO-3PN
10000
全新
ON
16+
TO-3P
10000
全新原装现货
ST
24+
TO-218
15000
原装现货热卖
SPTECH
2447
TO-3PN
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23+
TO-218
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23+
TO-218
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