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BD245C中文资料

厂家型号

BD245C

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3

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

两极晶体管 - BJT 80W NPN Silicon

数据手册

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生产厂商

ISC

BD245C数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector Current -IC= 10A

• Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO = 45V(Min)- BD245; 60V(Min)- BD245A

80V(Min)- BD245B; 100V(Min)- BD245C

• Complement to Type BD246/A/B/C

APPLICATIONS

• Designed for use in general purpose power amplifier and

switching applications

BD245C产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    BD245C

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT 80W NPN Silicon

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-14 19:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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