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BD243C数据手册规格书PDF详情
DESCRIPTION
·DC Current Gain -hFE =30(Min)@ IC= 0.3A
·Collector-Emitter Sustaining Voltage-
: VCEO(SUS) = 45V(Min)- BD243; 60V(Min)- BD243A
80V(Min)- BD243B; 100V(Min)- BD243C
·Complement to Type BD244/A/B/C
APPLICATIONS
·Designed for use in general purpose power amplifier and switching applications
BD243C产品属性
- 类型
描述
- 型号
BD243C
- 功能描述
两极晶体管 - BJT NPN General Purpose
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
PNP 集电极—基极电压
- VCBO
集电极—发射极最大电压
- VCEO
- 40 V 发射极 - 基极电压
- VEBO
- 6 V
- 增益带宽产品fT
直流集电极/Base Gain hfe
- Min
100 A
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
PowerFLAT 2 x 2
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-220 |
942 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
|||
onsemi |
24+ |
TO-220-3 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
ON Semiconductor Corporation |
25+ |
SMD |
918000 |
明嘉莱只做原装正品现货 |
|||
FSC/仙童 |
23+ |
TO-220 |
96500 |
一级分销商 |
|||
ON/安森美 |
17+ |
TO-220-3 |
31518 |
原装正品 可含税交易 |
|||
ST/意法 |
2021+ |
TO-220 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
ON(安森美) |
23+ |
TO-220 |
9480 |
公司只做原装正品,假一赔十 |
|||
ON |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
ONSEMI/安森美 |
24+ |
4153 |
全新原装正品现货可开票 |
||||
24+ |
TO-220 |
10000 |
全新 |
BD243CG 价格
参考价格:¥2.5468
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BD243C 芯片相关型号
BD243C 晶体管资料
BD243C别名:BD243C三极管、BD243C晶体管、BD243C晶体三极管
BD243C生产厂家:美国无线电公司_美国得克萨斯仪表公司
BD243C制作材料:Si-NPN
BD243C性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)
BD243C封装形式:直插封装
BD243C极限工作电压:100V
BD243C最大电流允许值:6A
BD243C最大工作频率:<1MHZ或未知
BD243C引脚数:3
BD243C最大耗散功率:65W
BD243C放大倍数:
BD243C图片代号:B-10
BD243Cvtest:100
BD243Chtest:999900
- BD243Catest:6
BD243Cwtest:65
BD243C代换 BD243C用什么型号代替:BD601,TIP41C,3DD67D,
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售