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APT20M45BVRG中文资料
APT20M45BVRG数据手册规格书PDF详情
FEATURES
·Drain Current : ID= 56A@ TC=25℃
·Drain Source Voltage
: VDSS= 200V(Min)
·Static Drain-Source On-Resistance
: RDS(on) = 0.045Ω(Max) @ VGS= 10V
·100 avalanche tested
·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
DESCRIPTION
·motor drive, DC-DC converter, power switch
and solenoid drive.
APT20M45BVRG产品属性
- 类型
描述
- 型号
APT20M45BVRG
- 功能描述
MOSFET N-CH 200V 56A TO-247
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
POWER MOS V®
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道,金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的
- Vgs(th)(最大)
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Microchip Technology |
24+ |
TO-247 [B] |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
1825+ |
TO247-3 |
3031 |
原装正品 可含税交易 |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO247-3 |
12500 |
全新原装现货,假一赔十 |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
TO247-3 |
18500 |
授权代理直销,原厂原装现货,假一罚十,特价销售 |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
21+ |
TO247-3 |
120000 |
长期代理优势供应 |
|||
MICROSEMI |
1809+ |
TO-247 |
326 |
就找我吧!--邀您体验愉快问购元件! |
|||
MICROSEMI |
21+ |
TO/247-3 |
3031 |
只做原装正品,不止网上数量,欢迎电话微信查询! |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
24+ |
GPS |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
21+ |
TO247-3 |
10000 |
全新原装 公司现货 价格优 |
|||
MICROSEMI/美高森美 |
23+ |
TO247-3 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
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- 9823017
- AM2632CNEFHAZCZR
- AM2632CODFHMZCZRQ1
- AM2632COKFHAZCZR
- AM2632COKFHMZCZRQ1
- AM2632COLFHAZCZR
- APT20M40BVR
- ATS-14B-71-C3-R0
- ATS-14B-72-C3-R0
- ATS-14B-77-C3-R0
- CLB0AB5110K1000TC1
- CLB0AB5110K1000TC1_V01
- CLB0AB5120K1000TC1
- CLB0AB56R2K1000TC1
- CLB0AB56R2K1000TC1_V01
- CLB0AB56R8K1000TC1
- CLB0AB56R8K1000TC1_V01
- CLB0AB57R5K1000TC1
- CLB0AB57R5K1000TC1_V01
- EEHZA1K101XP
- EEHZA1K101XR
- EEHZA1K220XP
- EEHZA1K220XR
- EEHZA1K270XP
- EEHZA1K270XR
- MSRD620CT_V01
Datasheet数据表PDF页码索引
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Inchange Semiconductor Company Limited 无锡固电半导体股份有限公司
无锡固电半导体股份有限公司isc成立于1991年,长期致力于功率半导体器件国产化替代进口,拥有isc和iscsemi两个品牌,获得IATF16949、ISO 9001、RoHS、REACH认证。 我们自主研发生产功率半导体产品有32年的积累,提供的产品包括MOSFET、IGBT、SiC二极管、SiC MOSFET、双极型晶体管BJT、可控硅、二极管以及各种模块,并可根据顾客要求设计、定制特殊产品。 我们的功率半导体产品应用于汽车电子、新能源、变频器、电力设施、储能设备、轨道交通、工业控制系统、医疗设备、音响功放、家用电器等领域。 我们还生产供应已停产、难以找到、冷门、逐渐萎缩的产品,同时也销售