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APT20M45BVRG中文资料

厂家型号

APT20M45BVRG

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337.32Kbytes

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

MOSFET N-CH 200V 56A TO-247

数据手册

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生产厂商

ISC

APT20M45BVRG数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current : ID= 56A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 200V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 0.045Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

APT20M45BVRG产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT20M45BVRG

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 200V 56A TO-247

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列

    POWER MOS V®

  • 标准包装

    1,000

  • 系列

    MESH OVERLAY™ FET

  • MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大

    40W

  • 安装类型

    通孔

  • 封装/外壳

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装

    TO-220FP

  • 包装

    管件

更新时间:2025-10-14 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MICROSEMI/美高森美
1825+
TO247-3
3031
原装正品 可含税交易
MICROSEMI/美高森美
23+
TO247-3
12500
全新原装现货,假一赔十
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120000
长期代理优势供应
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