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位置：APT10M11B2VR > APT10M11B2VR详情

厂家型号	APT10M11B2VR
文件大小	336.31Kbytes
页面数量	2页
功能描述	isc N-Channel MOSFET Transistor Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ISC

FEATURES

·Drain Current : ID= 100A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS= 100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 11mΩ(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

类型
描述
型号
APT10M11B2VR
制造商
ADPOW
制造商全称
Advanced Power Technology
功能描述
Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.

APT10M11B2VR供应商...

更新时间：2025-10-14 10:50:00

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