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APT1001RBN中文资料

厂家型号

APT1001RBN

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

数据手册

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生产厂商

ISC

APT1001RBN数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current : ID=11A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS=1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 1Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

APT1001RBN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT1001RBN

  • 制造商

    ADPOW

  • 制造商全称

    Advanced Power Technology

  • 功能描述

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

更新时间:2025-12-2 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
APT
24+
8866
APT
23+
TO-3P
5000
原装正品,假一罚十
APT
23+
NA
1200
全新原装假一赔十
APT
22+
TO-3
8200
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9000
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TO-3
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全新原装、诚信经营、公司现货销售!
APT
22+
TO-247
8000
原装正品支持实单
APTCHIP/爱普特微
25+
TO247
250
全新原装正品支持含税

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