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APT1001R1BN中文资料

厂家型号

APT1001R1BN

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2

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

数据手册

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生产厂商

ISC

APT1001R1BN数据手册规格书PDF详情

FEATURES

·Drain Current : ID=10.5A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage

: VDSS=1000V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

: RDS(on) = 1.1Ω(Max) @ VGS= 10V

·100 avalanche tested

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

DESCRIPTION

·motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

APT1001R1BN产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    APT1001R1BN

  • 制造商

    ADPOW

  • 制造商全称

    Advanced Power Technology

  • 功能描述

    N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE HIGH VOLTAGE POWER MOSFETS

更新时间:2025-10-8 16:30:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
APT
24+
TO-247-3
8866
Microch
20+
NA
33560
原装优势主营型号-可开原型号增税票
MSC
2447
20
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
MICROSEMI
25+
TO-247
3000
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APT/晶科电子
23+
TO220
50000
全新原装正品现货,支持订货
Microsemi Corporation
22+
TO2473
9000
原厂渠道,现货配单
APT
22+
TO-247
8000
原装正品支持实单
Microsemi Corporation
23+
TO2473
9000
原装正品,支持实单
APT
22+
TO247
5000
APT
23+
TO220
8560
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