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3CK104D中文资料

厂家型号

3CK104D

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2

功能描述

Silicon PNP Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

3CK104D数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

· Collector-Emitter Breakdown Voltage

-V(BR)CEO= -110V(Min)

· Collector-Emitter Saturation Voltage

-VCE(sat): -0.3V(Max) @IC= -0.75A

APPLICATIONS

· Designed for use in industrial-military power amplifier and

switching circuit applications.

更新时间:2026-2-15 11:10:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
CHINA
23+
B2-01C
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原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详
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CHINA
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全新现货厂价直销

3CK104D 晶体管资料

  • 3CK104D别名:3CK104D三极管、3CK104D晶体管、3CK104D晶体三极管

  • 3CK104D生产厂家:中国大陆半导体企业

  • 3CK104D制作材料:Si-PNP

  • 3CK104D性质:低频或音频放大 (LF)_功率放大 (L)

  • 3CK104D封装形式:直插封装

  • 3CK104D极限工作电压:110V

  • 3CK104D最大电流允许值:1.5A

  • 3CK104D最大工作频率:<1MHZ或未知

  • 3CK104D引脚数:2

  • 3CK104D最大耗散功率:10W

  • 3CK104D放大倍数

  • 3CK104D图片代号:E-44

  • 3CK104Dvtest:110

  • 3CK104Dhtest:999900

  • 3CK104Datest:1.5

  • 3CK104Dwtest:10

  • 3CK104D代换 3CK104D用什么型号代替