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2STBN15D100中文资料

厂家型号

2STBN15D100

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功能描述

Silicon NPN Power Darlington Transistor

两极晶体管 - BJT Low Voltage NPN 750 hFE 100V Vceo

数据手册

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生产厂商

ISC

2STBN15D100数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·High DC current gain

·Lead formed for surface mount applications

·Built-in a damper diode at E-C

·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device

performance and reliable operation

APPLICATIONS

·Linear and switching industrial equipment.

2STBN15D100产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2STBN15D100

  • 功能描述

    两极晶体管 - BJT Low Voltage NPN 750 hFE 100V Vceo

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    PNP 集电极—基极电压

  • VCBO

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO

    - 40 V 发射极 - 基极电压

  • VEBO

    - 6 V

  • 增益带宽产品fT

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min

    100 A

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    PowerFLAT 2 x 2

更新时间:2025-10-5 23:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
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TO-263
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2STBN15D100T4 价格

参考价格:¥2.7796

型号:2STBN15D100T4 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有2STBN15D100多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,2STBN15D100批发/采购报价,2STBN15D100行情走势销售排排榜,2STBN15D100报价。

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