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DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 100V(Min)
·High Power Dissipation-: PC= 60W(Max)@TC=25℃
·Complement to Type 2SB653
APPLICATIONS
·Designed for low frequency power amplifier applications.
2SD673产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD673
- 制造商
ISC
- 制造商全称
Inchange Semiconductor Company Limited
- 功能描述
isc Silicon NPN Power Transistors
更新时间：2026-5-22 10:21:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
||||
NEC |
24+ |
TO-92 |
65200 |
一级代理/放心采购 |
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2SD673 芯片相关型号
2SD673 晶体管资料
2SD673(A)别名：2SD673(A)三极管、2SD673(A)晶体管、2SD673(A)晶体三极管
2SD673(A)生产厂家：
2SD673(A)制作材料：Si-NPN
2SD673(A)性质：低频或音频放大 （LF）_开关管 （S）_功率放大 （L
2SD673(A)封装形式：直插封装
2SD673(A)极限工作电压：120V
2SD673(A)最大电流允许值：7A
2SD673(A)最大工作频率：8MHZ
2SD673(A)引脚数：2
2SD673(A)最大耗散功率：60W
2SD673(A)放大倍数：
2SD673(A)图片代号：E-44
2SD673(A)vtest：120
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2SD673(A)代换 2SD673(A)用什么型号代替：BD245C,2SC2681,2SD731,2SD732,2SD733,
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