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2SD640中文资料

2SD640
厂家型号

2SD640
文件大小

215.25Kbytes
页面数量

2页
功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

SILICON NPN TRIPLE DIFFUSEO TYPE
数据手册

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生产厂商

ISC

相近规格书

2SD640数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V (Min)

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V (Max.)@ IC= 5A

APPLICATIONS

• High voltage switching applications.

• High power amplifier applications.

2SD640产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD640

  • 功能描述

    SILICON NPN TRIPLE DIFFUSEO TYPE

2SD640供应商...

更新时间：2026-1-29 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市一线半导体有限公司
2SD640
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深圳市鹏和科技有限公司
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TOSHIBA
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TO-3
5000
只做原装公司现货
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2SD640 芯片相关型号

2SD640 晶体管资料

  • 2SD640别名：2SD640三极管、2SD640晶体管、2SD640晶体三极管

  • 2SD640生产厂家：日本东芝公司

  • 2SD640制作材料：Si-NPN

  • 2SD640性质：开关管 （S）_功率放大 （L）

  • 2SD640封装形式：直插封装

  • 2SD640极限工作电压：600V

  • 2SD640最大电流允许值：7A

  • 2SD640最大工作频率：3MHZ

  • 2SD640引脚数：2

  • 2SD640最大耗散功率：100W

  • 2SD640放大倍数：

  • 2SD640图片代号：E-44

  • 2SD640vtest：600

  • 2SD640htest：3000000

  • 2SD640atest：7

  • 2SD640wtest：100

  • 2SD640代换 2SD640用什么型号代替：BC326,BC526,BC626A,BU526,BU536,BU626A,BUX80,2SD1094,3DK308E,

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