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DESCRIPTION
• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 400V (Min)
• Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 1.5V (Max.)@ IC= 5A
APPLICATIONS
• High voltage switching applications.
• High power amplifier applications.
2SD640产品属性
- 类型
描述
- 型号
2SD640
- 功能描述
SILICON NPN TRIPLE DIFFUSEO TYPE
更新时间：2025-10-14 16:01:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
24+ |
TO-3 |
10000 |
全新 |
||||
TOSHIBA/东芝 |
专业铁帽 |
TO-3 |
500 |
原装铁帽专营,代理渠道量大可订货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
20+ |
TO-3 |
35830 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
|||
TOSHIBA |
23+ |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
||||
FUJITSU |
24+ |
TO-3 |
500 |
原装现货假一罚十 |
|||
TOSHIBA |
25+23+ |
New |
36988 |
绝对原装正品现货,全新深圳原装进口现货 |
|||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-3 |
5000 |
原厂授权代理,海外优势订货渠道。可提供大量库存,详 |
|||
TOSHIBA |
24+ |
TO-3 |
5000 |
只做原装公司现货 |
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Datasheet数据表PDF页码索引
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