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2SD357中文资料

厂家型号

2SD357

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

2SD356

数据手册

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生产厂商

ISC

2SD357数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 100V(Min)

·Good Linearity of hFE

·Complement to Type 2SB527

APPLICATIONS

·Designed for AF high power dirver applications.

2SD357产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD357

  • 功能描述

    2SD356

更新时间:2025-12-2 17:40:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MITSUBISHI/三菱
25+
TO-220
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MITSUBISHI/三菱全新现货2SD357即刻询购立享优惠#长期有排单订
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TO-220
10000
全新原装现货
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24+
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原装现货假一罚十
SAMSUNG/三星
24+
TO220
990000
明嘉莱只做原装正品现货

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