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2SD2328中文资料

厂家型号

2SD2328

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SD2328数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 180V(Min)

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage- : VCE(sat)= 3.0V(Max)@ IC= 10A, IB= 1A

• High Power Dissipation

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Power amplifier applications

更新时间:2025-10-31 18:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
PANASONIC/松下
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全新原装现货
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TO-3P
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