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2SD2256中文资料

厂家型号

2SD2256

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2

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SD2256数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• High DC Current Gain : hFE= 2000(Min.)@ IC= 12A, VCE= 4V

• High Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO = 120V(Min)

APPLICATIONS

• Designed for low frequency power amplifier applications.

更新时间:2025-10-30 20:38:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI/日立
25+
TO-3P
45000
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HITACHI/日立
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