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2SD2250中文资料

厂家型号

2SD2250

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2

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SD2250数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage- : V(BR)CEO= 140V(Min)

• High DC Current Gain- : hFE= 5000( Min.) @(IC= 6A, VCE= 5V)

• Low Collector Saturation Voltage- : VCE(sat)= 2.5V(Max)@ (IC= 6A, IB= 6mA) B

• Complement to Type 2SB1490

APPLICATIONS

• Designed for power amplification.

更新时间:2025-10-31 14:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
MAT
22+
TO-3PL
6000
十年配单,只做原装
24+
TO-3P(H)IS
10000
全新
SAN
24+
原厂封装
3500
原装现货假一罚十
TOSHIBA/东芝
23+
TO-3P
50000
全新原装正品现货,支持订货
TOSHIBA/东芝
24+
NA/
108
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
SANYO
25+
TO-3PF
12300
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证
TOSHIBA/东芝
24+
TO-3P
60000
全新原装现货
TOS
16+
TO-3P
10000
全新原装现货
东芝TOSHIB
15+
TO-247
11560
全新原装,现货库存,长期供应
TOSHIBA
20+
TO-3P
35830
原装优势主营型号-可开原型号增税票

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