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厂家型号	2SD2110
文件大小	268.79Kbytes
页面数量	2页
功能描述	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ISC

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 80V(Min)

• Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 2A

• High DC Current Gain

: hFE= 1000(Min) @ IC= 2A, VCE= 3V

APPLICATIONS

• Designed for low frequency power amplifier applications

2SD2110供应商...

更新时间：2026-1-29 14:14:00

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