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2SD2110中文资料

厂家型号

2SD2110

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268.79Kbytes

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2

功能描述

isc Silicon NPN Darlington Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SD2110数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 80V(Min)

• Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 2A

• High DC Current Gain

: hFE= 1000(Min) @ IC= 2A, VCE= 3V

APPLICATIONS

• Designed for low frequency power amplifier applications

更新时间:2025-10-11 9:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
HITACHI/日立
25+
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