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2SD1619中文资料

厂家型号

2SD1619

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260.779Kbytes

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SD1619数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

• Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 25V (Min)

• Complement to Type 2SB1119

• 100 avalanche tested

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

• Designed for LF Amp Electronic Governor applications.

更新时间:2025-8-11 11:50:00
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