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精确

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厂家型号	2SD1592
文件大小	263.74Kbytes
页面数量	2页
功能描述	isc Silicon NPN Darlington Power Transistor NPN
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	ISC

DESCRIPTION

• High Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V(BR)CEO= 300V(Min)

• High DC Current Gain

: hFE= 400(Min) @ IC= 2A, VCE= 2V

• Low Collector-Emitter Saturation Voltage-

: VCE(sat) = 1.5V(Max)@ IC= 2A

• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation

APPLICATIONS

• High voltage and low-speed switching applications

2SD1592供应商...

更新时间：2025-10-7 10:02:00

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