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2SD113中文资料

厂家型号

2SD113

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2

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR

数据手册

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生产厂商

ISC

2SD113数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 80V (Min)

·High Power Dissipation

·High Current Capability

APPLICATIONS

·Audio power amplifier, power switching applications.

·DC-DC converter and regulator applications.

2SD113产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    2SD113

  • 功能描述

    SILICON NPN DEFFUSED JUNCTION TRANSISTOR

更新时间:2025-12-24 19:58:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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原装正品,假一罚十
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原厂封装
2000
原装现货假一罚十
HITACHI
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TO-220
5000
全现原装公司现货

2SD113 晶体管资料

  • 2SD113别名:2SD113三极管、2SD113晶体管、2SD113晶体三极管

  • 2SD113生产厂家:日本东芝公司

  • 2SD113制作材料:Si-NPN

  • 2SD113性质:低频或音频放大 (LF)_开关管 (S)_功率放大 (L

  • 2SD113封装形式:直插封装

  • 2SD113极限工作电压:100V

  • 2SD113最大电流允许值:30A

  • 2SD113最大工作频率:1.5MHZ

  • 2SD113引脚数:2

  • 2SD113最大耗散功率:200W

  • 2SD113放大倍数

  • 2SD113图片代号:E-44

  • 2SD113vtest:100

  • 2SD113htest:1500000

  • 2SD113atest:30

  • 2SD113wtest:200

  • 2SD113代换 2SD113用什么型号代替:BDW30,BDY29,BDY57,MJ802,2N6249,2N6259,2N6322,2SD797,3DD73D,

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