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2SC3835G中文资料

厂家型号

2SC3835G

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298.73Kbytes

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3

功能描述

isc Silicon NPN Power Transistor

数据手册

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生产厂商

ISC

2SC3835G数据手册规格书PDF详情

DESCRIPTION

·Low Collector Saturation Voltage : VCE(sat)= 0.5V(Max)@ IC=3A

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-: V(BR)CEO= 120V (Min)

·Good Linearity of hFE

APPLICATIONS

·Designed for use in humidifier , DC/DC converter and general purpose applications

更新时间:2025-11-25 17:31:00
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